Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate800000 IOPSMaximum
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Moro
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Sequential Read Rate5000 MB/sMaximum Sequential Write Rate4500 MB/sSolid State Drive F